温州陶瓷电阻片-厚博电子(在线咨询)-陶瓷电阻片印刷的详细描述：

在基片上形成薄膜有多种方法。制造薄膜网路常用物理汽相淀积(PVD)法，有时还用阳极氧化或电镀法。在物理汽相淀积法中，最常用的是蒸发工艺和溅射工艺。这两种工艺都是在真空室中进行的，所以统称为真空成膜法。用这两种方法，可以制造无源网路中的无源元件、互连线、绝缘膜和保护膜。阳极氧化法可以形成介质膜，并能调整电阻膜的阻值。在制造分布参数微波混合集成电路时，用电镀法增加薄膜微带线的厚度，以减少功耗。

　　薄膜材料　在薄膜电路中主要有四种薄膜：导电、电阻、介质和绝缘薄膜。导电薄膜用作互连线、焊接区和电容器极板。电阻薄膜形成各种微型电阻。介质薄膜是各种微型电容器的介质层。绝缘薄膜用作交叉导体的绝缘和薄膜电路的保护层。各种薄膜的作用不同，所以对它们的要求和使用的材料也不相同。

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　　对导电薄膜的要求除了经济性能外，主要是导电率大，附着牢靠，可焊性好和稳定性高。因尚无一种材料能完全满足这些要求，所以必须采用多层结构。常用的是二至四层结构，如铬-金(Cr-Au)、镍铬-金(Ni Cr-Au)、钛-铂-金(Ti-Pt-Au)、钛-钯-金(Ti-Pd-Au)、钛-铜-金(Ti-Cu-Au)、铬-铜-铬-金(Cr-Cu-Cr-Au)等。

　磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，压力陶瓷电阻片，离开靶被溅射出来。

种类

　　磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电子交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。

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　　靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按照磁场位形分布不同，大致可分为平衡态和非平衡磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等，两极磁力线闭合于靶面，很好地将电子/等离子体约束在靶面附近，增加碰撞几率，提高了离化效率，因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电，靶材利用率相对较高，但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面，基片区域所受离子轰击较小.非平衡磁控溅射技术概念，即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极，两极磁力线在靶面不完全闭合，部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域，从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片，增加基片区域的等离子体密度和气体电离率.不管平衡非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶。如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。

3 电阻设计

(1)阻值范围和方阻：

  阻值范围：1Ω/--□--1MΩ/□ ，低于1Ω/□的电阻，可以用钯-银浆料作低  阻材料，其方阻为0.015Ω/□。为了设计规范化，采用1系列的方阻，即：  1Ω/□，100Ω/□，1KΩ/□，10KΩ/□，100KΩ/□，1MΩ/□等7种浆料，  供设计使用。

(2)设计值即靶值的选择：

  一般选择80%的标称值。

(3)对于各种几何图形的电阻，靶值选择原则：

  就钯—银端头而论:

  长∶宽≤1/3的电阻            目标值为70～75%标称值

  长∶宽=0.8～1.2的电阻        目标值为80～90%标称值

  长∶宽=1.3～2.5的电阻        目标值为80%标称值

  长∶宽=2.8～3.5或更大的电阻 目标值为70～75%标称值

  对于金端头，相应减少5%，也就是说，金端头的阻值比钯—银阻值高5%左右。

(4)功率电阻的设计

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   对于1/8W以上的功率电阻，结构形式如图5：