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对于96%陶瓷基片,按100mw/mm2计算电阻面积。功率电阻的调阻要求:调阻后,留下电阻的最窄处应≥1/2电阻宽度,即d≥1/2D。
(5)电阻的几何尺寸:0.8×0.8 (mm)2(或32mil×32mil)
(6)电阻印刷次数的规定:
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一般情况下,同一版图中印刷电阻浆料的种类不得多于3种。
(7)电阻设计的一些其它规定
尽量不将几个电阻设计成闭合回路,因为闭合回路不便于进行调阻。在遇到这 种情况时,应将导体断开。装配时通过外短接线或元器件端头再连接上。特殊 情况下可使用环路调阻,但在图上要注明。
(8)电阻不能设计在引出脚的焊区上,这样,给插引线和焊接带来困难,如图10所示:
(9)不能在介质上印刷电阻:如果这样,调阻时会损伤介质。
(10)紧靠介质边缘附近电阻的设计:由于介质层比较厚,致使印刷时电阻也较厚,使用同一方阻的几个电阻中靠近介质层的电阻值较低,为了保证印刷时阻值的命中率,该电阻的目标值与标称值的比应提高5~20%进行设计。(一般当电阻与介质之间距离≤1.0mm(40mil)时采用本项规定)如图11所示:
4介质层的印刷
介质层印刷时,上层介质的每边应比下层介质少0.1mm(4mil)。
如下图所示:
5 保护釉设计
(1)保护釉尺寸大小的选择
保护釉图形的窗口应比焊区尺寸大于或等于0.1mm(4mil)。
(2)禁止将保护釉作为绝缘介质使用。
6 光绘胶片的设计
在版图实际轮廓四周≥5mm(200mil)处绘出边框、标志符号和有关数据。
7 关于图形定位角的规定图纸应有明显的定位角,用符号“+”表示,默认为图纸的左下角(背面为右下角)。
8 两面印刷时定位角的规定为了保证基片两面印刷时采用同一定位角,图形应如图13所示:
磁控溅射是为了在低气压下进行高速溅射,必须有效地提高气体的离化率。通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法。
工作原理
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,陶瓷高压电阻片,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar 和新的电子;新电子飞向基片,Ar 在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加,
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二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。
在基片上形成薄膜有多种方法。制造薄膜网路常用物理汽相淀积(PVD)法,有时还用阳极氧化或电镀法。在物理汽相淀积法中,最常用的是蒸发工艺和溅射工艺。这两种工艺都是在真空室中进行的,所以统称为真空成膜法。用这两种方法,可以制造无源网路中的无源元件、互连线、绝缘膜和保护膜。阳极氧化法可以形成介质膜,并能调整电阻膜的阻值。在制造分布参数微波混合集成电路时,用电镀法增加薄膜微带线的厚度,以减少功耗。
薄膜材料 在薄膜电路中主要有四种薄膜:导电、电阻、介质和绝缘薄膜。导电薄膜用作互连线、焊接区和电容器极板。电阻薄膜形成各种微型电阻。介质薄膜是各种微型电容器的介质层。绝缘薄膜用作交叉导体的绝缘和薄膜电路的保护层。各种薄膜的作用不同,所以对它们的要求和使用的材料也不相同。
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对导电薄膜的要求除了经济性能外,主要是导电率大,附着牢靠,可焊性好和稳定性高。因尚无一种材料能完全满足这些要求,所以必须采用多层结构。常用的是二至四层结构,如铬-金(Cr-Au)、镍铬-金(Ni Cr-Au)、钛-铂-金(Ti-Pt-Au)、钛-钯-金(Ti-Pd-Au)、钛-铜-金(Ti-Cu-Au)、铬-铜-铬-金(Cr-Cu-Cr-Au)等。
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